はじめに

記録として、

下記の2つのツイートから、Samsung 3nm SF3 GAA (MBCFET) の Speed, Power, Area が 4nm SF4 FinFET に対してどうなるかが知ることができました。

#VLSI2023 Technology highlight, T1-2
Highly anticipated transition from FinFET to Gate-All-Around transistor architecture. Samsung reveals 1st GAA 3nm Foundry Platform Technology, SF3, with 22% speed, 34% power improvements & 0.79x logic area reduction over 4nm FinFET platform.
— IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (@VLSI_2023) 2023年5月6日

#VLSI2023 Technology highlight, T1-2
Figures: (Left) Performance/Power/Area (PPA) comparison between the previous 4nm FinFET (SF4) and the world first 3nm SF3 GAA (MBCFET™). (Right) Cross section of MBCFET™ highlighting unique process optimization. pic.twitter.com/dKNbISLmOk
— IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (@VLSI_2023) 2023年5月6日

Samsung GAA (MBCFET) とは？

下記のPC Watch の記事に、Samsung GAA (MBCFET) について説明があります。記事は、2019年5月なので4年前ですね。

pc.watch.impress.co.jp

3nm Gate-All-Around (GAA) プロセス「3GAE」で、

SF4 vs SF3

SF4 に対して、SF3 は、

Speed : 1.22 倍
Power : 0.66 倍
Area : 0.79 倍

気になるのは、Area でこの 0.79 は Logic なのか？ SRAM なのか？平均なのか？ですね。

下記のツイートの図によると、SF3E (3GAE) は 2022年。SF3 (3GAP) は 2024年。 SF2 は 2025年。SF1.4 は 2027年。

Haven’t seen those numbers for Samsung SF4X before:

- performance: +10%
- power: -23%
- improved SRAM process margin

(Source: @VLSI_2023 T16-3) pic.twitter.com/N78uXMfNyc
— Andreas Schilling 🇺🇦 (@aschilling) 2023年5月8日