はじめに
今回は、NVIDIA Groq 3 LPU の Die Size と コストがどのくらいなのかを妄想します。
振り返り、Groq LPU の Die Size
Groq LPU は、GF14で、Die Size は 25mm x 29mm のようです。
これを SemiAnalysis Die Yield Calculator にて、サイズだけを入れ替えて出てきたのがこんな感じ。

Groq 3 LPU の Wafer
下記のXの投稿にて、Groq 3 LPU の Wafer の写真が載っています。
三星电子确认正在开发其第八代高带宽内存HBM5,该内存采用2nm工艺制造,应用于基础芯片。对于第九代 HBM5E,该公司计划在核心芯片上预先应用基于1d(第七代10nm级)工艺的DRAM。
— 朝闻 (@xu159411209) 2026年3月17日
此外,英伟达的新型AI推理专用芯片Groq 3 LPU已委托三星晶圆代工,并采用4nm工艺生产。 pic.twitter.com/ZlSHjEUegZ
Waferの部分を説明のために引用します。

Groq LPU と Groq 3 LPU を並べてみます。

Groq 3 LPU の Die の方がちょっと大きそうです。サイズを、25mm x 32mm に変更してみました。

なんか、ぴったりっぽいですね。
ということで、Die Size は、
- 25mm x 32mm
とします。
Samsung 4nm (SF4X) の Wafer Price
Grok さんに、Samsung 4nm (SF4X) の Wafer Price を聞いてみました。
Samsungの4nmプロセス、特にSF4X(第4世代4nm、HPC/AI向け最適化版)のウェーハ価格について、公開されている正確な数字はSamsung Foundryから公式に発表されていません。ファウンドリ業界では顧客契約やボリューム、時期によって価格が変動するため、非公開情報が多いです。
ただし、業界レポートや類似ノードの文脈から推定される範囲は以下の通りです(2025〜2026年時点の情報ベース):
Samsungの成熟した4nm系プロセス(SF4/SF4Xなど)のウェーハ価格は、おおよそ$15,000〜$20,000 USD前後と見積もられることが多いです。
- TSMCの4nm/5nm系が2024〜2025年頃で$16,000〜$20,000程度だったのに対し、Samsungは競争力をつけるためにやや低めに設定する傾向があります。
- 特にSF4Xは2023年末から量産開始で、2025〜2026年には歩留まりが安定(GroqなどのAIチップで大量発注実績あり)している「成熟ノード」扱いなので、初期の3nm/4nmよりコストが抑えられています。
最近の動きとして、2026年2月頃にSamsung Foundryは4nmおよび8nmプロセスの価格を約10%値上げする計画を顧客と協議中との報道があります(Digitimes、ZDNet Koreaなど)。
- 値上げ前が仮に$16,000〜$18,000程度だった場合、値上げ後は$17,600〜$19,800くらいになる可能性。
- AI需要の高まり(HBM4ベースダイ、GroqのLPUなどSF4X採用例増加)で利用率が上昇しているため、値上げ圧力がかかっている状況です。
比較参考(同世代/近接ノードの公開推定値): - TSMC 4nm系:$18,000〜$22,000(2025年値上げ後一部$20,000超のケースも) - TSMC 3nm:$20,000前後 - Samsung 2nm(SF2):$20,000(2025年後半にTSMC $30,000に対し大幅値下げで競争)
結論:Samsung SF4Xのウェーハ価格は公称値がないため$16,000〜$20,000 USDのレンジが現実的な推定値で、2026年現在は10%程度の値上げ交渉中というのが最新状況です。より正確な数字は顧客ごとのNDA契約次第です。もし特定の記事やソースを基にした詳細が知りたい場合、追加で教えてください!
25mm x 32mm の Die Cost
Grok さんに、25mm x 32mm の Die Cost を聞いてみた
25mm × 32mmのDie(ダイ面積 = 800 mm² = 8 cm²)は、かなり大型のダイサイズです。SamsungのSF4X(4nm HPC/AI向け最適化プロセス)で製造した場合のGood Die 1個あたりのコスト(ウェーハ原価ベースの推定)を、2026年3月現在の業界情報から計算してみます。
1. 基本前提(2026年時点の現実的な推定値)
- 300mmウェーハの有効面積:約706 cm²(エッジ除外後、実効約620–700 cm²だが標準706 cm²使用)。
- Gross Dies per Wafer(理論最大ダイ数):706 cm² ÷ 8 cm² ≈ 88個(端数切り捨て、エッジロス考慮で実際は80–85個程度に落ちる)。
- 現実的なGross Dies:約82–85個(矩形配置 + scribe line 0.1mm程度考慮)。
- ウェーハ価格(Samsung SF4X / 4nm系):
- 2025–2026年初頭:$16,000–$18,000 USD(成熟4nmとしてTSMC 4nmの$18k–$20kに対しSamsungは10–20%安め)。
- 2026年2月頃:Samsungが4nm/8nmで約10%値上げ交渉中(Digitimesなど報道)。
- 現在(2026年3月)推定:$17,000–$20,000 USD(値上げ後$18,500前後が中央値)。
- Fab Yield(ウェーハ→Good Dieの歩留まり):
- Samsung 4nm系(SF4/SF4X)は2025年後半~2026年に70–90%超まで改善(特にロジックダイで90%超の報道あり、HBM4関連ダイでも高歩留まり)。
- 大型ダイ(800mm²)は欠陥影響が大きく、歩留まりが落ちやすい → 保守的に75–85%と仮定(90%は小型ダイ寄り)。
- Good Dies per Wafer(ウェーハあたり良品数):Gross 83個 × Yield 80% ≈ 66–70個(現実レンジ)。
2. Good Die 1個あたりのウェーハ原価推定
- ウェーハ価格 $18,500(中央値) ÷ Good Dies 68個 ≈ $272 USD/個。
- レンジ計算:
- 低め(ウェーハ$17,000、Yield 85%、Good Dies ~72個):約$236 USD。
- 高め(ウェーハ$20,000、Yield 75%、Good Dies ~62個):約$323 USD。
- 現実的な中央推定:$250–$300 USD / Good Die(ウェーハ原価のみ)。
3. 注意点:これは「ウェーハ原価ベース」の最低ライン
- 実際の顧客コストはこれよりかなり高いです。
- Mask set(NRE):4nmで$10M–$20M以上(1回限りだが大量生産で按分)。
- Test / Packaging / Shipping / Margin:+30–100%上乗せ。
- 大型ダイ(800mm²)はGPU/サーバーAIアクセラレータ級(例:Groq LPUや過去のAMD/NVIDIA大型チップ)で、歩留まり悪化+再ワークコスト増。
- Samsung SF4XはAI/HPC向けで2026年現在利用率上昇中だが、TSMC 4nm比でやや歩留まり劣るケースもあり。
結論:25×32mm(800mm²)ダイをSamsung SF4Xで作った場合、Good Die 1個のウェーハ原価ベースコストは$250〜$300 USD程度が2026年現在の妥当な推定値です。実際の調達価格は契約ボリューム・歩留まり保証・値上げ後で$300–$400超になる可能性が高いです。
もっと正確に知りたい場合(具体的なYield仮定変更やMask込み総コストなど)、追加パラメータ教えてください!
おわりに
上記の結果から、Groq 3 LPU の
- Die Size : 25mm x 32mm
- Die Cost : $250 - $300
ということになりました。。。
これをシステムに組み込んだ時に、幾らで売るんでしょうかね。。。